$AlF_3$ का गलनांक $1040 \, ^{\circ}C$ है और $SiF_4$ का गलनांक $-77 \, ^{\circ}C$ (यह उर्ध्वपातित होता है) है क्योंकि

• A
  $Al-F$ और $Si-F$ बंध के आयनिक चरित्र में बहुत बड़ा अंतर है
• B
  $AlF_3$ में,$Al^{3+}$ पड़ोसी $F^{-}$ आयनों के साथ बहुत मजबूती से परस्पर क्रिया करता है और एक त्रिविमीय संरचना देता है,लेकिन $SiF_4$ में ऐसी कोई परस्पर क्रिया संभव नहीं है
• C
  चतुष्फलकीय $SiF_4$ अणु में सिलिकॉन आयन फ्लोराइड आयनों से प्रभावी रूप से सुरक्षित नहीं है,जबकि $AlF_3$ में,$Al^{3+}$ आयन सभी तरफ से सुरक्षित है
• D
  $SiF_4$ अणुओं के बीच आकर्षण बल मजबूत हैं जबकि $AlF_3$ अणुओं के बीच वे कमजोर हैं