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जब एक $n$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,

$300 \ K$ पर शुद्ध सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉन और होल की समान सांद्रता $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। यदि होल की सांद्रता बढ़कर $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है,तो सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉन की सांद्रता क्या होगी?

एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $4 \times 10^{28}$ परमाणु प्रति $m^3$ हैं। इसे $1 \text{ ppm}$ एंटीमनी की सांद्रता के साथ डोप किया जाता है। उपलब्ध मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_{g}$,$1.2 \; eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता से बहुत कम है और तापमान से स्वतंत्र है। $600 \; K$ और $300 \; K$ पर चालकता का अनुपात क्या है? मान लीजिए कि आंतरिक वाहक सांद्रता $n_{i}$ की तापमान निर्भरता $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ द्वारा दी गई है,जहाँ $n_{0}$ एक स्थिरांक है।

एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों की आंतरिक सांद्रता $6 \times 10^8 \ m^{-3}$ है। कुछ अशुद्धि मिलाने के बाद,इलेक्ट्रॉन सांद्रता बढ़कर $9 \times 10^{12} \ m^{-3}$ हो जाती है। नए होल की सांद्रता ज्ञात कीजिए।