$v$ આવૃત્તિવાળા પ્રકાશ (જે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v_0$ કરતા વધારે છે) માટે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કોના પ્રમાણમાં હોય છે?

સીઝિયમ $(Cs)$, પોટેશિયમ $(K)$ અને સોડિયમ $(Na)$ ના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2.14\,eV$, $2.30\,eV$ અને $2.75\,eV$ છે. જો આપાત વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણની ઉર્જા $2.20\,eV$ હોય, તો આમાંથી કઈ પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે?

$400\,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશનો કિરણપુંજ એક પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર લંબરૂપે આપાત થાય છે ($25\%$ પરાવર્તન પામે છે અને બાકીનો ભાગ શોષાય છે). આ સપાટી પર $5 \times 10^{-7}\,N/m^2$ નું દબાણ ઉત્પન્ન કરે છે. જો આપાત ફોટોન્સના $0.1\%$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો અનુરૂપ સેચ્યુરેશન પ્રવાહ $\dots \mu A$ હશે. (પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું ક્ષેત્રફળ $= 5\,cm^2$ લો)

નીચેનો આલેખ ધાતુની સપાટી માટે એનોડ પોટેન્શિયલ સાથે ફોટોકરંટના ફેરફારને દર્શાવે છે. અહીં $I_{1}, I_{2}$ અને $I_{3}$ એ તીવ્રતા દર્શાવે છે અને $\gamma_{1}, \gamma_{2}, \gamma_{3}$ એ અનુક્રમે વક્ર $1, 2$ અને $3$ માટે આવૃત્તિઓ દર્શાવે છે,તો

ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં પ્રકાશના બિંદુવત ઉદગમનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. જો ઉદગમ અને ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક સપાટી વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે, તો નીચેનામાંથી શું પરિણામ આવી શકે?

વિધાન : પ્રકાશસંવેદી સપાટી દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા આપાત ફોટોનની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.
કારણ : ધાતુની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા ઓછી આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત ફોટોન વડે શક્ય છે.