પોટેશિયમ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ (વર્ક ફંક્શન $2 \ eV$ છે) ........... $nm$ છે.

જ્યારે $v_{1}$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $W$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે (જ્યાં $h v_{1} > W$), ત્યારે ફોટોકરંટ $V_{1}$ જેટલા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ પર શૂન્ય થઈ જાય છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિ વધારીને $v_{2}$ કરવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ બદલાઈને $V_{2}$ થાય છે. તેથી, ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર $e$ નીચેનામાંથી કયો છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટેનું આઈન્સ્ટાઈનનું સમીકરણ $E_k = hf - \phi_0$ છે. આ સમીકરણમાં $E_k$ ........... દર્શાવે છે.

જ્યારે પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર $\lambda_{1}$ અને $\lambda_{2}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_{1}$ અને $E_{2}$ છે. પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

ફોટોસેલ પર આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ અને $250 \ nm$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનો વેગ અનુક્રમે $v$ અને $2v$ છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $\nu$ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે। જો $2\nu$ આવૃત્તિનું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($m = \text{ઈલેક્ટ્રોનનું દળ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$)