સિલ્વર માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $\lambda_{0}$ છે. $\lambda$ $(\lambda < \lambda_{0})$ જેટલી આપાત તરંગલંબાઈ દ્વારા સિલ્વરની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કેટલી હશે?

આર્ગોન લેસર દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ $488 \, nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશનો ઉપયોગ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે કરવામાં આવે છે। જ્યારે આ વર્ણપટ રેખાનો પ્રકાશ કેથોડ પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.38 \, V$ છે। કેથોડ મટીરીયલનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)?

$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈના મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની તુલનામાં એક-તૃતીયાંશ હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે? ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક ફોટો-સંવેદી ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $hv_0$ છે. જો $2hv_0$ ઊર્જાનો ફોટોન આ સપાટી પર આપાત થાય,ત્યારે ઈલેક્ટ્રોન $4 \times 10^6 \, m/s$ ના મહત્તમ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જ્યારે આપાત ફોટોનની ઊર્જા વધારીને $5hv_0$ કરવામાં આવે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?