એક ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક વર્ક ફંક્શન $4.125 \ eV$ છે. આ સપાટી માટે કટ-ઓફ તરંગલંબાઈ .......... $\mathring{A}$ છે.

એક $EM$ વિકિરણનો વિદ્યુતક્ષેત્ર ઘટક સમય સાથે $E = a(\cos \omega_{0} t + \sin \omega t \cos \omega_{0} t)$ મુજબ બદલાય છે, જ્યાં '$a$' અચળાંક છે, $\omega = 10^{15} \text{ s}^{-1}$, અને $\omega_{0} = 5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1}$ છે. આ વિકિરણ એક ધાતુ પર પડે છે જેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2 \text{ V}$ છે. તો નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે? $(h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s})$

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $300\, nm$ થી બદલીને $400\, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે ................ $V$ છે $\left( \frac{hc}{e} = 1240\, nm \cdot V \right)$

$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.

જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6800 \mathring{A}$ હોય,તો વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ............. $eV$ થશે.

જ્યારે $6 eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન સપાટી પર પડે છે ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $4 eV$ છે. તો વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?