ચોક્કસ તાપમાને આંતરિક સેમિકન્ડક્ટરના કન્ડક્શન બેન્ડમાં ઇલેક્ટ્રોન મળી આવવાની સંભાવના:

  • A
    બેન્ડ ગેપ વધવાની સાથે ઘાતાંકીય રીતે ઘટે છે
  • B
    બેન્ડ ગેપ વધવાની સાથે ઘાતાંકીય રીતે વધે છે
  • C
    તાપમાન વધવાની સાથે ઘટે છે
  • D
    તાપમાન અને બેન્ડ ગેપથી સ્વતંત્ર છે

Explore More

Similar Questions

$GaAs$ (ગેલિયમ આર્સેનાઇડ) એ ....... છે.

સાચું વિધાન પસંદ કરો. વાહકોમાં,

$0\, K$ તાપમાને $N$ પરમાણુઓ ધરાવતા $Si$ અને $Ge$ ના ઉર્જા સ્તરો દોરીને સમજાવો.

$\sigma_1$ અને $\sigma_2$ એ અનુક્રમે $Ge$ અને $Na$ ની વિદ્યુત વાહકતા છે. જો આ પદાર્થોને ગરમ કરવામાં આવે,તો

કાર્બન,સિલિકોન અને જર્મેનિયમના પરમાણુઓમાં દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેમના વેલેન્સ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેના એનર્જી બેન્ડ ગેપને અનુક્રમે $(E_g)_C$,$(E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. તેમના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo