ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરનો અભ્યાસ શેને સમજવા માટે ઉપયોગી છે?

એક ધાતુની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ છે. જ્યારે $4v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)

$0.6 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર $2 \ eV$ ઊર્જાવાળો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલ માટે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ કયો છે?

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન આપાત કિરણોની આવૃત્તિ $v_1$ અને $v_2$ માટે થાય છે. જો ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:K$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?