$300-400 \ K$ તાપમાનના ગાળામાં $Cu$ અને અશુદ્ધિ રહિત (undoped) $Si$ ના અવરોધનો તાપમાન પરનો આધાર નીચેનામાંથી કોના દ્વારા શ્રેષ્ઠ રીતે વર્ણવી શકાય છે?

થર્મોકપલના તટસ્થ તાપમાને થર્મો-e.m.f. ના તાપમાન સાથે વધવાનો દર [$AIPMT$ $2011$]

થર્મોકપલનું ઠંડું જંકશન $0^{\circ} C$ તાપમાને છે. થર્મોકપલમાં ઉત્પન્ન થતું થર્મો e.m.f. સમીકરણ $E = 16T - 0.04T^2$ દ્વારા આપવામાં આવે છે, જ્યાં $T$ એ ગરમ જંકશનનું તાપમાન છે. થર્મોકપલનું ઇન્વર્ઝન તાપમાન અને ન્યુટ્રલ તાપમાન કેટલા હશે?

આપેલ પરિપથમાં,સ્થાયી પ્રવાહ સાથે,કેપેસિટર પરનો પોટેન્શિયલ ડ્રોપ કેટલો હશે?

આકૃતિમાં એક અર્ધવર્તુળાકાર ધાતુની પટ્ટી દર્શાવેલ છે જેની જાડાઈ $t$ અને અવરોધકતા $\rho$ છે. તેની આંતરિક ત્રિજ્યા $R_1$ અને બાહ્ય ત્રિજ્યા $R_2$ છે. જો તેના બે છેડાઓ વચ્ચે $V_0$ વોલ્ટેજ લાગુ કરવામાં આવે,તો તેમાં $I$ જેટલો પ્રવાહ વહે છે. વધુમાં,એવું અવલોકન કરવામાં આવે છે કે ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનની શુદ્ધ ગતિજ અસરોને કારણે તેની આંતરિક અને બાહ્ય સપાટીઓ વચ્ચે ટ્રાન્સવર્સ વોલ્ટેજ $\Delta V$ ઉદભવે છે (પ્રવાહને કારણે ચુંબકીય ક્ષેત્રની કોઈપણ ભૂમિકાને અવગણો). તો (આકૃતિ યોજનાકીય છે અને માપ પ્રમાણે દોરેલી નથી)-
$(A)$ $I = \frac{V_0 t}{\pi \rho} \ln \left(\frac{R_2}{R_1}\right)$
$(B)$ બાહ્ય સપાટી આંતરિક સપાટી કરતા ઉચ્ચ વોલ્ટેજ પર છે
$(C)$ બાહ્ય સપાટી આંતરિક સપાટી કરતા નીચા વોલ્ટેજ પર છે
$(D)$ $\Delta V \propto I^2$

ઝિંકના તારના એક ઘટકના છેડાઓને નાના તાપમાનના તફાવત $\Delta T$ પર રાખવામાં આવે છે અને તારમાંથી નાનો પ્રવાહ $I$ પસાર કરવામાં આવે છે. તો, એકમ સમયમાં ઉત્પન્ન થતી ઉષ્મા