આપેલ અણુમાં ઇલેક્ટ્રોનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(B) આપેલ અણુ મોર્ફોલિન છે. આ અણુમાં,ઓક્સિજન પરમાણુ $(O)$ પાસે $2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે. નાઇટ્રોજન પરમાણુ $(N)$ પાસે $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુ

Vedclass · Accepted Answer

$3$

Vedclass · Answer

(B) આપેલ અણુ મોર્ફોલિન છે. આ અણુમાં,ઓક્સિજન પરમાણુ $(O)$ પાસે $2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે. નાઇટ્રોજન પરમાણુ $(N)$ પાસે $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે. તેથી,અણુમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની કુલ સંખ્યા $2 + 1 = 3$ છે.

આપેલ અણુમાં ઇલેક્ટ્રોનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની કુલ સંખ્યા કેટલી છે?

Similar Questions

નીચેનામાંથી કયો લુઇસ બેઇઝ તરીકે વર્તી શકે નહીં?

$S-O$ બંધ લંબાઈ શેમાં મહત્તમ હોય છે?

નીચેનામાંથી કયું અનુચુંબકીય (paramagnetic) છે?

બંધકોણનો સાચો ક્રમ પસંદ કરો.

વિધાન: $H_2O$ અને $XeF_4$ બંનેમાં સમતલની સંમિતિ (plane of symmetry) હોય છે.
કારણ: $H_2O$ એ ધ્રુવીય અણુ છે જ્યારે $XeF_4$ એ અધ્રુવીય અણુ છે.

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module