$p-n$ जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई:

एक सिलिकॉन डायोड में $100\, mA$ की फॉरवर्ड $DC$ धारा के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $1.2\, V$ है। $10\, V$ के रिवर्स वोल्टेज के लिए इसका रिवर्स करंट $1\times10^{-6}\, A$ है। डायोड का बल्क और रिवर्स प्रतिरोध क्या है?

$p-n$ जंक्शन के लिए,विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $1 \times 10^{6} \text{ V/m}$ है और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $5000 \text{ Å}$ है। विभव प्राचीर (potential barrier) का मान $\dots \text{ V}$ है।

$p-n$ जंक्शन में डिफ्यूजन धारा का परिमाण ड्रिफ्ट धारा के परिमाण से कम होता है:

$P-N$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस में समायोजित करने पर,डिप्लेशन लेयर और प्रतिरोध पर क्या प्रभाव पड़ता है?

एक अनबायस्ड (unbiased) $p-n$ जंक्शन में: