એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 \text{ eV}$ છે અને જ્યારે તેના પર ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.3 \text{ eV}$ છે. આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring A$ માં શોધો.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,કેથોડ ધાતુને $600 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. જ્યારે $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. કેથોડ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)? [ $h=6.63 \times 10^{-34} \ J-s, c=3 \times 10^8 \ m/s$ નો ઉપયોગ કરો ]

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.1 \ eV$ છે. $1.5 \ eV$ અને $2 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા બે પ્રકાશના કિરણો ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $3300 \,\mathring{A}$ છે. જો $1100 \,\mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણોનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \,eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે ......... $nm$ છે.