तीन एम्पलीफायर,जिनमें से प्रत्येक का वोल्टेज गेन $10$ है,श्रेणीक्रम में जोड़े गए हैं। परिणामी गेन होगा

दिए गए ट्रांजिस्टर सर्किट में,मान लें कि बेस और एमिटर के बीच वोल्टेज ड्रॉप $0.5\ V$ है। इस सर्किट को $I = 1\ mA$ के स्थिर धारा स्रोत के रूप में कार्य करने के लिए प्रतिरोध $R_2$ और $R_1$ के सिरों पर वोल्टेज का अनुपात क्या होगा?

एक $CE$ ट्रांजिस्टर में,जब आधार धारा (base current) $60 \mu A$ बढ़ जाती है,तो आधार-उत्सर्जक वोल्टेज (base-emitter voltage) में परिवर्तन $1.2 \ V$ होता है। तब इनपुट प्रतिरोध (input resistance) है: ($\Omega$ में)

एक ट्रांजिस्टर सक्रिय (active) मोड में कार्य कर रहा है। $v_1$ बेस-एमिटर जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) है और $v_2$ कलेक्टर-बेस जंक्शन पर विभव प्राचीर है। $b_1$ बेस-एमिटर जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई है और $b_2$ कलेक्टर-बेस जंक्शन की चौड़ाई है।

एक $NPN$ ट्रांजिस्टर में,कलेक्टर धारा $20 \, mA$ है। यदि उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों का $90\%$ कलेक्टर तक पहुँचता है,तो:

जब $NPN$ ट्रांजिस्टर का उपयोग एम्पलीफायर के रूप में किया जाता है,