दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा है

कथन: दी गई आकृति में $p-n$ जंक्शन से प्रवाहित धारा का मान $10\, mA$ होगा।
कारण: उपरोक्त आकृति में,$p-$सिरा $n-$सिरे की तुलना में उच्च विभव पर है।

आदर्श डायोड मानकर,चित्र में दिए गए परिपथ के लिए आउटपुट वेवफॉर्म खींचिए। वेवफॉर्म की व्याख्या कीजिए।

चित्र में एक $P-N$ जंक्शन डायोड का $i-V$ अभिलक्षण दर्शाया गया है। जब $2 \; V$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $P-N$ जंक्शन का अनुमानित गतिक प्रतिरोध (dynamic resistance) ....... $\Omega$ है।

एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा:

अग्र अभिनति (Forward Bias) और पश्च अभिनति (Reverse Bias) क्या है?