બે સમાન કેપેસિટર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ગોઠવેલા છે. પ્લેટ $1$ નું વર્ક ફંક્શન $\phi \ eV$ છે. બેટરીનું $emf$ $\frac{\phi}{e}$ છે. જો આપાત ફોટોનની ઉર્જા $hv$ હોય,તો પ્લેટ $2$ પર પહોંચતા $e^-$ ની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી હશે?

આર્ગોન લેસર દ્વારા $488 \;nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ ઉત્પન્ન થાય છે, જેનો ઉપયોગ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે થાય છે. જ્યારે આ વર્ણપટ રેખાનો પ્રકાશ ઉત્સર્જક પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ (કટ-ઓફ) પોટેન્શિયલ $0.38 \;V$ છે. ઉત્સર્જક જે પદાર્થનો બનેલો છે તેનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) શોધો.

જ્યારે હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન પ્રથમ ઉત્તેજિત અવસ્થામાંથી ધરા અવસ્થામાં કૂદકો મારે છે ત્યારે ઉત્સર્જિત એકવર્ણી વિકિરણ એક પ્રકાશસંવેદી પદાર્થ પર આપાત થાય છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3.57 \; V$ માપવામાં આવે છે. પદાર્થની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ......... $\times 10^{15} \; Hz$ છે.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં $310 \,nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વપરાય છે. પ્રયોગમાં $2.5 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ધાતુના ઈલેક્ટ્રોડનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? (ધારો કે $hc = 1240 \,eV-nm$)

આઈન્સ્ટાઈનની ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર સમજાવો અને આઈન્સ્ટાઈનનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ તારવો.