ગતિશીલ ઇલેક્ટ્રોનની ડી બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $1 \,nm$ થી ઘટાડીને $0.5 \,nm$ કરવા માટે તેને કેટલી વધારાની ઉર્જા આપવી જોઈએ?

એક ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) જેનો પ્રારંભિક વેગ $\overrightarrow{v} = v_{0} \hat{i} \left(v_{0} > 0\right)$ છે,તે વિદ્યુતક્ષેત્ર $\overrightarrow{E} = -E_{0} \hat{i} \left(E_{0} > 0\right)$ માં ગતિ કરે છે,જ્યાં $E_{0}$ અચળ છે. જો $t = 0$ સમયે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{0} = \frac{h}{mv_{0}}$ હોય,તો $t$ સમય પછી તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી થશે?

વિધાન $(A):$ $M$ દળનો સ્થિર કણ $m_1$ અને $m_2$ દળના બે કણોમાં વિભાજિત થાય છે,જેમના વેગ શૂન્ય નથી. તેમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર એકમ (unity) છે.
કારણ $(R):$ અહીં,આપણે રેખીય વેગમાન સંરક્ષણનો નિયમ લાગુ કરી શકતા નથી.

જ્યારે એક પ્રોટોનને $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે, ત્યારે તેની સાથે સંકળાયેલ દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જો $\alpha$-કણ માટે પણ સમાન દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ મેળવવી હોય, તો તેને કેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવો પડે?

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપ માટે,નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

એક ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોન સમાન ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવે છે. તો ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે?