જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોસેલથી $1 \ m$ અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $2 \ m$ અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3 \text{ V}$ છે. જ્યારે તે જ સપાટી પર $2 \lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1 \text{ V}$ છે. આ સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $100 \ W \ m^{-2}$ તીવ્રતા ધરાવતું વિકિરણ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $2 \%$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો સપાટીના $2 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટી પર આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય, તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $1.6 \times 10^{-19} \text{ J}$ છે. જ્યારે આ સપાટી પર $6400 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ....... $\text{J}$ છે.

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, અન્ય પરિબળોને અચળ રાખીને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારવામાં આવે છે $(f > f_0)$. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ