જ્યારે આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરની વાહકતા

ઇન્ટ્રિન્સિક (શુદ્ધ) અને એક્સટ્રિન્સિક (અશુદ્ધ) સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત લખો.

$1\,cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $0.5\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી $Ge$ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની વિરુદ્ધ બાજુઓ વચ્ચે $2\,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. જો $Ge$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $2 \times 10^{19}/m^{3}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ અને $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ હોય,તો પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે ($,A$ માં)?

ધારો કે એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$.

એક સિલિકોન નમૂનાને $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવા માટે સરેરાશ દર $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms } m^{-3}$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર સ્વીકારક (acceptor) પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?