જ્યારે જર્મેનિયમમાં ફોસ્ફરસ અને એન્ટિમની ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે:

એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં,વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $7.07 \times 10^{15} \, m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે,ત્યારે હોલ્સની ઘનતા $5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા શોધો.

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો હોલની સાંદ્રતા વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકો કયા અશુદ્ધિ તત્વને ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે?

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં $8 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ છે. તેમાં $2 \text{ ppm}$ સાંદ્રતાના પેન્ટાવેલેન્ટ પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં બનતા હોલ્સની સંખ્યા શોધો (ઇન્ટ્રિન્સિક કેરિયર સાંદ્રતા,$n_i = 1 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$).