જ્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જક પર વિકિરણ આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $9 \ V$ જોવા મળે છે. જો ઈલેક્ટ્રોન માટે $e/m$ નું મૂલ્ય $1.8 \times 10^{11} \ C \ kg^{-1}$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

જો એક ધાતુની શીટને $v_1$ અને $v_2$ આવૃત્તિ ધરાવતા વિકિરણો દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે અને ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1 : x$ હોય, તો ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$670.5\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો એક મોનોક્રોમેટિક નિયોન લેમ્પ એક પ્રકાશ-સંવેદનશીલ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.48\, V$ છે. જો પ્રકાશના સ્ત્રોતને $474.6\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા બીજા સ્ત્રોત સાથે બદલવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ કેટલો હશે? ($V$ માં)

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2 \ \text{eV}$ છે. જો તેના પર $3000 \ \text{Å}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h=6.6 \times 10^{-34} \ \text{Js}$; પ્રકાશનો વેગ $c=3 \times 10^8 \ \text{m/s}$; $1 \ \text{eV}=1.6 \times 10^{-19} \ \text{J}$)

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

સોડિયમ અને કોપરના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તો તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કોની નજીક છે?