જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \, V$ છે. જો તે જ સપાટીને અગાઉની તરંગલંબાઈ કરતા બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \, V$ થાય છે. ધાતુની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $... \lambda$ છે.

પ્લાન્કનો અચળાંક નક્કી કરવાના ઐતિહાસિક પ્રયોગમાં, ધાતુની સપાટી પર અલગ-અલગ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવ્યો. ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ઊર્જા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ લગાવીને માપવામાં આવી. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $(\lambda)$ અને તેને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ માટેનો ડેટા નીચે મુજબ છે:

$\lambda (\mu m)$	$V_0$ (Volt)
$0.3$	$2.0$
$0.4$	$1.0$
$0.5$	$0.4$

જો $c = 3 \times 10^8 \ m \ s^{-1}$ અને $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ હોય, તો આવા પ્રયોગ પરથી મળતો પ્લાન્કનો અચળાંક ($J \ s$ એકમમાં) કેટલો હશે?

ધાતુ પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. જ્યારે $100 \ nm$ તરંગલંબાઈનું વિકિરણ ધાતુ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ હશે.

ટંગસ્ટન પર સિઝિયમની બનેલી ફોટો સંવેદી સપાટીને નિયોન બલ્બમાંથી $640.2 \ nm$ $(1 \ nm = 10^{-9} \ m)$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. માપવામાં આવેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \ V$ છે. જો આ સ્ત્રોતને બદલીને સમાન ફોટોસેલ પર $427.2 \ nm$ ની રેખા વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના સંદર્ભમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ આપાત વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના નીચેના ગુણધર્મ પર આધાર રાખે છે:

એક ફોટોસંવેદી ધાતુની સપાટીનું કાર્યવિધેય $\phi$ છે. જ્યારે $3\phi$ ઊર્જાવાળો ફોટોન તે સપાટી પર આપાત થાય ત્યારે મહત્તમ વેગ $6.6 \times 10^6 \ m/s$ ધરાવતો ફોટોઈલેક્ટ્રૉન તેના પરથી બહાર આવે છે. જો ફોટોનની ઊર્જા વધારીને $9\phi$ કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રૉનનો મહત્તમ વેગ .......... થશે.