જ્યારે $4 \times 10^{15} \,Hz$ અને $6 \times 10^{15} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણો અલગ-અલગ પ્રયોગોમાં એક જ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: 3$ છે. ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ............... $\times 10^{15} Hz$ છે.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\lambda /2$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $3$ ગણી હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?
$(h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશની ઝડપ $)$

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.2 \ eV$ છે. તેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ .......... $ \mathring A $ હશે.

એક ચોક્કસ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.31 \times 10^{-19} \,J$ છે। $5000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.62 \times 10^{-34} \,J \cdot s$,$c = 3 \times 10^8 \,m/s$,$e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$)

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \,eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે ......... $nm$ છે.

જ્યારે $v_{1}$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $W$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે (જ્યાં $h v_{1} > W$), ત્યારે ફોટોકરંટ $V_{1}$ જેટલા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ પર શૂન્ય થઈ જાય છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિ વધારીને $v_{2}$ કરવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ બદલાઈને $V_{2}$ થાય છે. તેથી, ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર $e$ નીચેનામાંથી કયો છે?