જ્યારે ધાતુ પર પડતા વિકિરણની તરંગલંબાઈ $500 \, nm$ થી બદલીને $200 \, nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થઈ જાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે $..... \, eV$ છે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જ્યારે સમાન ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ છે. તો ધાતુની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)

જ્યારે $3f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $2hf$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મહત્તમ $v$ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $4.25f$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક).

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે:

પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ જે ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનનું કારણ બને છે તે $\lambda_0$ છે. $\frac{\lambda_0}{3}$ અને $\frac{\lambda_0}{9}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના બે કિરણો ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?