જ્યારે $300 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો $UV$ પ્રકાશ $2.13 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($ \, V$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1240 \, eV \cdot nm$)

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : પ્રકાશની આવૃત્તિ વધવાથી ફોટોનની સંખ્યા વધે છે.
કારણ $R$ : ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે વધે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

ફોટોસેલ સર્કિટમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ એ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનું માપ છે. નીચેનો આલેખ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના પ્રાયોગિક રીતે માપેલા મૂલ્યો દર્શાવે છે. આલેખ પરથી નક્કી કર્યા મુજબ પ્લાન્કનો અચળાંક અને વર્ક ફંક્શનના મૂલ્યો છે (ઈલેક્ટ્રોનિક ચાર્જનું મૂલ્ય $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$ લેતા):

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં આપાત ફોટોન સાથે શું થાય છે?

એક ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6600 \, \mathring{A}$ છે. આ માટેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

જો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3 \ eV$ હોય,તો થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ ............ $\mathring{A}$ હશે.