નીચેનામાંથી કઈ ઈલેક્ટ્રોન રચના સૌથી ઓછી આયનીકરણ ઉર્જા ધરાવતા તત્વની છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A:$ $Mg$ માંથી $Mg^{2+}$ બનાવવા માટે જરૂરી ઉર્જા $Mg^+$ બનાવવા માટે જરૂરી ઉર્જા કરતા ઘણી વધારે છે.
કારણ $R:$ $Mg^{2+}$ એ નાનો આયન છે અને $Mg^+$ કરતા વધુ વીજભાર ધરાવે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

નીચેના પૈકી કઈ ઇલેક્ટ્રોનીય રચના ધરાવતા પરમાણુની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી સૌથી ઓછી હશે?

આયનીકરણ પોટેન્શિયલ $(IP)$ ના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$2^{nd}$ આવર્તમાં કયા તત્વના $1^{st}$ અને $2^{nd}$ આયનીકરણ એન્થાલ્પી $(I.E.)$ ના સરવાળાનું મૂલ્ય સૌથી વધુ છે?

$C$,$N$,$O$ અને $F$ ની દ્વિતીય આયનીકરણ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ નીચેનામાંથી કયો છે?