ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{2\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

$P.E.E.$ (ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર) ના પ્રયોગમાં, સંતૃપ્ત પ્રવાહ $5\,mA$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $10\,V$ છે. જો પ્રકાશની તીવ્રતા અને આવૃત્તિ બંને બમણી કરવામાં આવે, તો નવો સંતૃપ્ત પ્રવાહ $(i_s)$ અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ શું હશે?

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)

હાઇડ્રોજન જેવા પરમાણુનો પરમાણુ ક્રમાંક $Z$ છે. આ પરમાણુઓમાં $n=4$ થી $n=3$ સ્તરના ઇલેક્ટ્રોનિક સંક્રમણ દરમિયાન ઉત્સર્જિત ફોટોનનો ઉપયોગ લક્ષ્ય ધાતુ પર ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરનો પ્રયોગ કરવા માટે થાય છે. ઉત્પન્ન થયેલા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિજ ઊર્જા $1.95 \ eV$ છે. જો લક્ષ્ય ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $310 \ nm$ હોય,તો $Z$ નું મૂલ્ય શોધો.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન-$I$: આકૃતિ બે પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો $M_1$ અને $M_2$ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ નો આવૃત્તિ $(v)$ સાથેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. ઢાળ $\frac{h}{e}$ નું મૂલ્ય આપે છે,જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર છે.
વિધાન-$II$: સમાન આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે $M_2$ વધુ ગતિ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.