जब एक जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है, | vedclass

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Question

(D) फॉरवर्ड बायसिंग में, बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-साइड से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-साइड से जुड़ा होता है। यह विन्यास बहुसंख्यक आवेश वाहकों ($p$-क्षे

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$n$-साइड पर इलेक्ट्रॉन और $p$-साइड पर होल जंक्शन से दूर जाएंगे।

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(D) फॉरवर्ड बायसिंग में, बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-साइड से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-साइड से जुड़ा होता है। यह विन्यास बहुसंख्यक आवेश वाहकों ($p$-क्षेत्र में होल और $n$-क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन) को जंक्शन की ओर धकेलता है। परिणामस्वरूप, अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है और विभव प्राचीर (potential barrier) कम हो जाता है। इसलिए, यह कथन कि इलेक्ट्रॉन और होल जंक्शन से दूर जाते हैं, गलत है।

जब एक जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है, तो निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

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यह मानते हुए कि डायोड सिलिकॉन के हैं और उनका अग्र प्रतिरोध (forward resistance) शून्य है, निम्नलिखित परिपथ में धारा $I$ .......$mA$ है।

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