निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?
- Aतापमान में वृद्धि के साथ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक का प्रतिरोध कम हो जाता है।
- Bशुद्ध $Si$ में त्रिसंयोजी (trivalent) अशुद्धियों को मिलाने से $p$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।
- C$n$-प्रकार के अर्धचालकों में बहुसंख्यक वाहक (majority carriers) होल होते हैं।
- Dएक $p-n$ जंक्शन अर्धचालक डायोड के रूप में कार्य कर सकता है।
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$n$-प्रकार के अर्धचालक में,अशुद्धि परमाणुओं द्वारा दान किए गए मुक्त इलेक्ट्रॉन किन ऊर्जा स्तरों पर स्थित होते हैं?
$500\,K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान है,जो $1.5 \times 10^{16}\,m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?
Difficult
View Solutionएक शुद्ध अर्धचालक क्रिस्टल में $8 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ हैं। इसे $2 \text{ ppm}$ सांद्रता वाले पंचसंयोजी (pentavalent) परमाणुओं के साथ डोप किया गया है। अर्धचालक क्रिस्टल में बनने वाले होल्स की संख्या ज्ञात कीजिए (आंतरिक वाहक सांद्रता,$n_i = 1 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$)।
कमरे के तापमान पर आंतरिक $Ge$ के एक नमूने में इलेक्ट्रॉनों और होल्स की गतिशीलता (mobilities) क्रमशः $0.35 \, m^2/V-s$ और $0.18 \, m^2/V-s$ है। यदि इलेक्ट्रॉन और होल घनत्व प्रत्येक $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ के बराबर हैं,तो $Ge$ की चालकता.....$S/m$ होगी। ($.12$ में)
MediumAIIMS 2010
View Solution$P$-प्रकार के अर्धचालक में,ग्राही (Acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ कहाँ स्थित होते हैं?
Easy
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