મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E)$ અને આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેની રેખાઓ $P, Q, R$ અને $S$ દર્શાવતા નીચેના ચાર આલેખમાંથી કયો સાચો છે?

પ્રકાશ એક ધાતુની સપાટી પર અથડાય છે, જેના કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $248 \, nm$ છે. જો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.8 \, eV$ હોય, તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)? ($hc = 1240 \, eV \cdot nm$ લો).

ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલ માટે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ કયો છે?

એક ધાતુની પ્લેટ પર $J$ તીવ્રતા અને $v$ આવૃત્તિ ધરાવતા પ્રકાશના કિરણોત્સર્ગ દ્વારા $T$ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. તો, નીચેનામાંથી કયું સાચું હશે?

$v_1$ જેટલી આપાત વિકિરણ આવૃત્તિ માટે,જે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા વધારે છે,એક ચોક્કસ ધાતુ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_1$ છે. $2 v_1$ આવૃત્તિ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3 V_1$ છે. જો $4 v_1$ આવૃત્તિ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $n V_1$ હોય,તો $n$ ની કિંમત શોધો.

ધાતુની સપાટી દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર અને દળ અનુક્રમે $e$ અને $m$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?