નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

  • A
    ત્રિસંયોજક અશુદ્ધિઓ સાથે ડોપ કરેલ શુદ્ધ $Si$ એ $p-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર આપે છે.
  • B
    $n-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં મેજોરિટી કેરિયર્સ હોલ્સ છે.
  • C
    $p-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં માઇનોરિટી કેરિયર્સ ઇલેક્ટ્રોન છે.
  • D
    તાપમાનમાં વધારા સાથે આંતરિક સેમિકન્ડક્ટરનો અવરોધ ઘટે છે.

Explore More

Similar Questions

જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?

એક ઇન્ટ્રિન્સિક (શુદ્ધ) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યાં $n_{h}$ અને $n_{e}$ અનુક્રમે એકમ કદ દીઠ હોલની સંખ્યા અને એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે,તો નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં હોલ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા સંતુલન સ્થિતિમાં $1.4 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે અને હોલની સાંદ્રતા $n_{h} = 4 \times 10^{22} \ m^{-3}$ હોય,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા એ $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ સાંદ્રતા જેટલી જ છે. દરેક પર બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્ર લાગુ કરવામાં આવે છે. તેમની વચ્ચેના પ્રવાહની તુલના કરો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo