$LED$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

એક એવી પરિસ્થિતિનો વિચાર કરો જેમાં કોઈ ચોક્કસ $P-N$ જંકશનનો રિવર્સ બાયસ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તેને $\lambda \le 621 \, nm$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન,હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડીઓના નિર્માણને કારણે કેરિયર સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે? ($eV$ માં)

$LED$ માં,જ્યારે ફોરવર્ડ બાયસ વધારવામાં આવે છે (શૂન્યથી શરૂ કરીને),ત્યારે ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તીવ્રતા:

જ્યારે $2480 \; nm$ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ અર્ધવાહક પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેની વિદ્યુત વાહકતા વધે છે. અર્ધવાહક માટે બેન્ડ ગેપ $eV$ માં કેટલો હશે?

વિધાન $(A)$: $Si$ અને $GaAs$ એ સોલર સેલ માટે પસંદગીના પદાર્થો છે.
કારણ $(R)$: આ બંને પદાર્થોના એનર્જી બેન્ડ ગેપ સૌર વર્ણપટમાં મહત્તમ સૌર વિકિરણને અનુરૂપ ઉર્જા સ્તર કરતા ઘણા નીચે છે.

ફોટો સેલ એ એક એવું સાધન છે જેનો ઉપયોગ શેના માટે થાય છે?