શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં $p$-પ્રકારનો અર્ધવાહક મેળવવા માટે કયા પ્રકારની અશુદ્ધિ ઉમેરવી જોઈએ?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકની વાહકતા કેટલી હશે,જો આ તાપમાને પ્રતિ $cm^3$ ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની સંખ્યા $1.072 \times 10^{10}$ હોય,$\mu_e = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ અને $\mu_h = 480 \ cm^2/V \cdot s$ હોય?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન ક્રિસ્ટલની વાહકતા કેટલી હશે? પ્રતિ $cm^3$ ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકાંની સંખ્યા $1.072 \times 10^{10}$ છે. આપેલ છે: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ અને $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.

અર્ધવાહકની અવરોધકતા $(\rho)$ નો તાપમાન $(T)$ પરનો આધાર નીચેનામાંથી કયા આલેખ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે?

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય, તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય?