Ge और Si डायोड क्रमशः 0.3,V और 0.7,V पर चालन | vedclass

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Question

(B) दी गई सर्किट में,$Ge$ और $Si$ डायोड समानांतर में जुड़े हैं। जिस डायोड का थ्रेशोल्ड वोल्टेज कम होगा,वह पहले चालन करेगा। चूंकि $Ge$ का थ्रेशोल्ड वोल

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$0.4$

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(B) दी गई सर्किट में,$Ge$ और $Si$ डायोड समानांतर में जुड़े हैं। जिस डायोड का थ्रेशोल्ड वोल्टेज कम होगा,वह पहले चालन करेगा। चूंकि $Ge$ का थ्रेशोल्ड वोल्टेज $0.3\,V$ है और $Si$ का $0.7\,V$ है,इसलिए $Ge$ डायोड चालन करेगा।स्थिति $1$: प्रारंभिक कनेक्शन।सर्किट में वोल्टेज ड्रॉप $Ge$ डायोड द्वारा निर्धारित होता है,$V_{drop} = 0.3\,V$।धारा $i = \frac{12\,V - 0.3\,V}{5\,k\Omega} = \frac{11.7\,V}{5\,k\Omega} = 2.34\,mA$।आउटपुट वोल्टेज $V_{o1} = i 	imes R = 2.34\,mA 	imes 5\,k\Omega = 11.7\,V$।स्थिति $2$: $Ge$ डायोड कनेक्शन को उलट दिया जाता है।अब,$Ge$ डायोड रिवर्स बायस में है और चालन नहीं करता है। $Si$ डायोड फॉरवर्ड बायस में है और $0.7\,V$ के थ्रेशोल्ड वोल्टेज के साथ चालन करता है।धारा $i = \frac{12\,V - 0.7\,V}{5\,k\Omega} = \frac{11.3\,V}{5\,k\Omega} = 2.26\,mA$।आउटपुट वोल्टेज $V_{o2} = i 	imes R = 2.26\,mA 	imes 5\,k\Omega = 11.3\,V$।$V_0$ के मान में परिवर्तन $\Delta V_0 = |V_{o1} - V_{o2}| = |11.7\,V - 11.3\,V| = 0.4\,V$ है।

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