$Ge$ और $Si$ डायोड क्रमशः $0.3\,V$ और $0.7\,V$ पर चालन शुरू करते हैं। निम्नलिखित आकृति में,यदि $Ge$ डायोड का कनेक्शन उलट दिया जाए,तो $V_0$ का मान कितने से बदल जाएगा: ...... $V$ (मान लें कि $Ge$ डायोड का ब्रेकडाउन वोल्टेज बहुत अधिक है)।

एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में $20 \, mA$ तक की धारा सहन कर सकता है। डायोड के सिरों पर विभवांतर $0.5 \, V$ है, जिसे धारा से स्वतंत्र माना गया है। जब $125 \, \Omega$ का प्रतिरोध इसके साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा जाता है, तो डायोड को फॉरवर्ड बायस करने के लिए उपयोग की जाने वाली बैटरी का अधिकतम वोल्टेज क्या होगा ($V$ में)?

एक डायोड जिसके जंक्शन पर $0.5\, V$ का विभवांतर है,जो धारा पर निर्भर नहीं करता है,उसे $20\, \Omega$ के प्रतिरोध के साथ श्रेणीक्रम में एक स्रोत से जोड़ा गया है। यदि प्रतिरोध से $0.1\, A$ की धारा प्रवाहित होती है,तो स्रोत का वोल्टेज क्या है ($, V$ में)?

यदि एक $p-n$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में है,तो निम्नलिखित में से कौन सा चित्र अर्धचालक के अंदर धारा की सही दिशा देता है?

चित्र में दो $P-N$ जंक्शन जुड़े हुए हैं। निम्नलिखित में से किस संयोजन में $P-N$ जंक्शनों के सिरों पर वोल्टेज समान होगा?

एक $P-N$ जंक्शन डायोड में,यदि $P$ क्षेत्र $n$ क्षेत्र की तुलना में अधिक भारी रूप से डोप (heavily doped) किया गया है,तो अवक्षय परत (depletion layer) होगी: