Ge અને Si ડાયોડ અનુક્રમે 0.3,V અને 0.7,V પર વ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) પ્રારંભિક ગોઠવણીમાં,બંને ડાયોડ ફોરવર્ડ-બાયસ્ડ છે. જે ડાયોડનો કટ-ઇન વોલ્ટેજ ઓછો હોય તે પહેલા વહન કરશે અને આઉટપુટ વોલ્ટેજ નક્કી કરશે. $Ge$ નો કટ-ઇન

Vedclass · Accepted Answer

$0.4$

Vedclass · Answer

(D) પ્રારંભિક ગોઠવણીમાં,બંને ડાયોડ ફોરવર્ડ-બાયસ્ડ છે. જે ડાયોડનો કટ-ઇન વોલ્ટેજ ઓછો હોય તે પહેલા વહન કરશે અને આઉટપુટ વોલ્ટેજ નક્કી કરશે. $Ge$ નો કટ-ઇન વોલ્ટેજ $0.3\,V$ અને $Si$ નો $0.7\,V$ હોવાથી,$Ge$ ડાયોડ વહન કરશે અને આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_{0_i} = 12\,V - 0.3\,V = 11.7\,V$ થશે.જ્યારે $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે છે,ત્યારે તે રિવર્સ-બાયસ્ડ બને છે. ધારી લેતા કે તેનો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ ઘણો વધારે છે,તે ઓપન સર્કિટ તરીકે વર્તે છે. હવે,માત્ર $Si$ ડાયોડ ફોરવર્ડ-બાયસ્ડ છે અને વહન કરે છે. આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_{0_f} = 12\,V - 0.7\,V = 11.3\,V$ થશે.$V_0$ ના મૂલ્યમાં થતો ફેરફાર $|V_{0_f} - V_{0_i}| = |11.3\,V - 11.7\,V| = 0.4\,V$ છે.

Similar Questions

$P-N$ જંકશન ડાયોડના ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ અને રિવર્સ બાયસ અવરોધનો ગુણોત્તર આશરે કેટલો હોય છે?

$P-N$ જંકશન બનાવવા માટે $Si$ દ્રવ્યનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. તો ડેપ્લેશન બેરિયરની ઉંચાઈ આશરે કેટલા $V$ હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સર્કિટ ગોઠવેલી છે. આઉટપુટ વોલ્ટેજ ${V}_{0}$ એ $\ldots \ldots \text{ V}$ ની બરાબર છે.

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module