P-N જંકશન બનાવવા માટે Si દ્રવ્યનો ઉપયોગ કરવામ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) $P-N$ જંકશન માટે પોટેન્શિયલ બેરિયર (અથવા ડેપ્લેશન બેરિયર) વપરાયેલ સેમિકન્ડક્ટર દ્રવ્ય પર આધાર રાખે છે.સિલિકોન $(Si)$ માટે,એનર્જી ગેપ આશરે $1.1 \ e

Vedclass · Accepted Answer

$0.7$

Vedclass · Answer

(C) $P-N$ જંકશન માટે પોટેન્શિયલ બેરિયર (અથવા ડેપ્લેશન બેરિયર) વપરાયેલ સેમિકન્ડક્ટર દ્રવ્ય પર આધાર રાખે છે.સિલિકોન $(Si)$ માટે,એનર્જી ગેપ આશરે $1.1 \ eV$ છે અને રૂમ ટેમ્પરેચર પર પોટેન્શિયલ બેરિયરની ઉંચાઈ આશરે $0.7 \ V$ હોય છે.જર્મેનિયમ $(Ge)$ માટે,પોટેન્શિયલ બેરિયરની ઉંચાઈ આશરે $0.3 \ V$ હોય છે.તેથી,$Si$ $P-N$ જંકશન માટે,સાચો જવાબ $0.7 \ V$ છે.

$P-N$ જંકશન બનાવવા માટે $Si$ દ્રવ્યનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. તો ડેપ્લેશન બેરિયરની ઉંચાઈ આશરે કેટલા $V$ હશે?

Similar Questions

નીચે દર્શાવેલ સર્કિટમાં પ્રવાહ $I$ કેટલો હશે? (બધા ડાયોડ આદર્શ અને સમાન છે)

જ્યારે $p-n$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે છે,ત્યારે તે

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયરનું કારણ શું છે?

$PN$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ કરવા માટે,બેટરીનો ઋણ છેડો કોની સાથે જોડવામાં આવે છે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડ કેવી રીતે બને છે? ડિપ્લેશન લેયર અને બેરિયર પોટેન્શિયલ સમજાવો.

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module