$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?

चित्र में एक $P-N$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषता दिखाई गई है। जब $1\;V$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $P-N$ जंक्शन का अनुमानित गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) .......$\Omega$ है।

चित्र में दिखाए गए अनुसार एक संधारित्र $(20 \mu\text{F})$, एक प्रतिरोधक $(100 \Omega)$ और दो समान डायोड से बने परिपथ पर विचार करें। अग्र अभिनति (forward biasing) स्थिति में प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध $10 \Omega$ है। परिपथ का समय नियतांक (time constant) $\alpha \times 10^{-3} \text{ s}$ है। $\alpha$ का मान . . . . . . है।

ओम का नियम किसमें विफल हो जाता है?

एक $PN-$ जंक्शन की मोटाई किस कोटि की होती है?

$P-N$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायस को एक बड़े मान तक बढ़ाने पर,धारा