એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $C$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. પ્લેટો વચ્ચે $V$ જેટલો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ પાડવામાં આવે છે. સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે લાગતું આકર્ષણ બળ કેટલું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $1\; kV$ ના વોલ્ટેજ રેટિંગ સાથે ડિઝાઇન કરવાનું છે,જેમાં $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને લગભગ $10^{7}\; V\,m^{-1}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ ધરાવતા પદાર્થનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. (ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ એ મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે જે પદાર્થ બ્રેકડાઉન વગર સહન કરી શકે છે,એટલે કે,આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ કર્યા વગર.) સુરક્ષા માટે,આપણે ઇચ્છીએ છીએ કે ક્ષેત્ર ક્યારેય ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થના $10\%$ થી વધે નહીં. $50\; pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ ($cm^2$ માં) કેટલું હોવું જોઈએ?

જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ બમણું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $2V$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ, ઇલેક્ટ્રોનને બિંદુ $P$ અને $Q$ પર મૂકવામાં આવે છે. તો,

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા એક અલગ કરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,ચાર સપાટીઓ પર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $Q_1$,$Q_2$,$Q_3$ અને $Q_4$ વિદ્યુતભારો છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

$n$ સમાન અંતરે રહેલી પ્લેટોને એકાંતરે જોડીને એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે. જો કોઈ પણ બે પાસપાસેની પ્લેટો વચ્ચેનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો પરિણામી કેપેસિટન્સ શોધો.