જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ બમણું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $4 \ mm$ છે અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $60 \ V$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારીને $12 \ mm$ કરવામાં આવે,તો:

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સનું મૂલ્ય નીચેનામાંથી કોના પર આધાર રાખતું નથી?

$10 \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની રચના કરવાની છે,જેમાં $5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિકનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે,જેથી તેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $10^9 \; Vm^{-1}$ હોય. જો કેપેસિટરનું વોલ્ટેજ રેટિંગ $12 \; kV$ હોય,તો $80 \; pF$ કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે દરેક પ્લેટનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જોઈએ?

$50\,\mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોને $100\;V$ ના પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે,તો આ પ્રક્રિયામાં કેટલું કાર્ય કરવું પડશે?