એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $40 \ cm^2$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $2 \ mm$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \ mm$ જાડાઈ અને $5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે. સિસ્ટમનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે? ($\varepsilon_0 =$ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી)

  • A
    $24 \ \varepsilon_0 \ F$
  • B
    $\frac{3}{10} \ \varepsilon_0 \ F$
  • C
    $\frac{10}{3} \ \varepsilon_0 \ F$
  • D
    $10 \ \varepsilon_0 \ F$

Explore More

Similar Questions

એક કેપેસિટરને બેટરી વડે સંપૂર્ણ ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી તેને ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિકની સપાટી પરના અને કેપેસિટરની પ્લેટોની બહારની સપાટી પરના વિદ્યુતભારોમાં અનુક્રમે શું ફેરફાર થશે?

હવામાં માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $3 \mu F$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવાથી,કેપેસિટન્સ $15 \mu F$ થાય છે. $SI$ એકમમાં માધ્યમની પરમિટિવિટી કેટલી હશે? [આપેલ છે: $\epsilon_{0} = 8.85 \times 10^{-12} \text{ SI units}$]

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવેલા સંયુક્ત ડાયઇલેક્ટ્રિક દ્વારા બનતા કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ માટેનું સૂત્ર શું હશે? (પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $= A$)

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને પહેલા ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કઈ રાશિ બદલાતી નથી?

$C$ ફેરાડે કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટના emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડાયેલ રાખીને,$K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબના પરિમાણો એવા છે કે તે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરી દે છે. તો $:-$

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo