તરંગલંબાઈ $\lambda$ અને તીવ્રતા $I$ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર પડે છે. જો $N$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય,જે દરેકની ગતિઊર્જા $E$ હોય,તો:

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કયા પરિબળો પર આધાર રાખે છે?

જ્યારે $v_{1}$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $W$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે (જ્યાં $h v_{1} > W$), ત્યારે ફોટોકરંટ $V_{1}$ જેટલા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ પર શૂન્ય થઈ જાય છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિ વધારીને $v_{2}$ કરવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ બદલાઈને $V_{2}$ થાય છે. તેથી, ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર $e$ નીચેનામાંથી કયો છે?

જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

એક ધાતુને $800 \, nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશમાં રાખતા તે અમુક ગતિઊર્જા સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. જ્યારે $500 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $... \, eV$ છે ($hc = 1230 \, eV \cdot nm$ લો).

$2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $3.4 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ-ઊર્જા .......... $eV$ છે.