$2.5 eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ જંકશન ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} Js$,પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 m/s$,પ્રાથમિક વિદ્યુતભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} C$)

  • A
    $6000 nm$
  • B
    $6000 Å$
  • C
    $5000 Å$
  • D
    $4000 nm$

Explore More

Similar Questions

સમજાવો કે શા માટે તત્વીય અર્ધવાહકોનો ઉપયોગ દ્રશ્યમાન $LED$ બનાવવા માટે થઈ શકતો નથી.

સોલાર સેલનો કાર્યરત વિસ્તાર $......$ હોય છે જેથી મળતો પાવર $......$.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ (Assertion) તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ (Reason) તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટોડાયોડને રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં ચલાવવામાં આવે છે.
કારણ $R$: $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

એક $LED$ ના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવી છે?

સોલર સેલની રચના, કાર્યપદ્ધતિ અને ઉપયોગનું વર્ણન કરો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo