$2.5 eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} Js$,प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 m/s$,प्राथमिक आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} C$)

$3.1 \,eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ फोटोडायोड निर्मित किया गया है। निम्नलिखित में से कौन सी तरंगदैर्ध्य इसके द्वारा पता लगाई जा सकती है?

निम्नलिखित कथनों पर विचार करें $:$
$A.$ सौर सेल का जंक्शन क्षेत्रफल फोटोडायोड की तुलना में बहुत बड़ा बनाया जाता है।
$B.$ सौर सेल किसी भी बाहरी बायस से नहीं जुड़े होते हैं।
$C.$ $\text{LED}$ भारी डोपित (heavily doped) $p-n$ जंक्शन से बनी होती है।
$D.$ फॉरवर्ड करंट में वृद्धि के परिणामस्वरूप $\text{LED}$ प्रकाश की तीव्रता में निरंतर वृद्धि होती है।
$E.$ प्रकाश के उत्सर्जन के लिए $\text{LED}$ को फॉरवर्ड बायस में जोड़ा जाना चाहिए।
निम्नलिखित में से कौन से कथन सही हैं?

सौर सेल का $I-V$ अभिलक्षण ग्राफ निर्देशांक प्रणाली के चौथे चतुर्थांश में क्यों खींचा जाता है?

ऑप्टिकल फाइबर संचार में, $APD$ अर्धचालक का उपयोग किसके लिए किया जाता है?

किस प्रकार के $p-n$ जंक्शन डायोड को संचालित होने के लिए फॉरवर्ड बायस की आवश्यकता नहीं होती है?