એક સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $2 \times 10^8 \ m^{-3}$ છે. ચોક્કસ અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી, ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $4 \times 10^{10} \ m^{-3}$ થાય છે, તો સેમિકન્ડક્ટરની નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

એક શુદ્ધ અર્ધવાહકની અવરોધકતા $0.5 \ \Omega m$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.39 \ m^2 / V-s$ અને $0.19 \ m^2 / V-s$ હોય,તો આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતાની ગણતરી કરો.

બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યારે ડોપિંગનું સ્તર વધારવામાં આવે છે ત્યારે:

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં $8 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ છે. તેમાં $2 \text{ ppm}$ સાંદ્રતાના પેન્ટાવેલેન્ટ પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં બનતા હોલ્સની સંખ્યા શોધો (ઇન્ટ્રિન્સિક કેરિયર સાંદ્રતા,$n_i = 1 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$).

જર્મેનિયમ સ્ફટિકમાં થોડા પ્રમાણમાં ઍન્ટિમની અશુદ્ધિ ઉમેરતાં શું થાય છે?