$hcp$ અને $ccp$ રચનાઓમાં ખાલી જગ્યા (void space) ની ટકાવારી કેટલી છે ($\%$ માં)?

$A_2B_3$ સૂત્ર ધરાવતા સંયોજનમાં $hcp$ લેટીસ છે. કયો પરમાણુ $hcp$ લેટીસ બનાવે છે અને અન્ય પરમાણુઓ દ્વારા કેટલા ભાગના ટેટ્રાહેડ્રલ વોઇડ્સ રોકાયેલા છે?

તત્વ $X$ ના પરમાણુઓ $hcp$ લેટીસ બનાવે છે અને તત્વ $Y$ ના પરમાણુઓ તેના $\frac{2}{3}$ ચતુષ્ફલકીય છિદ્રો રોકે છે. લેટીસમાં તત્વ $X$ ની ટકાવારી ..... છે. (નજીકનો પૂર્ણાંક)

પરમાણુ $X$ એ $fcc$ લેટીસ સાઇટ્સ તેમજ સમાન લેટીસના એકાંતરે આવતા ટેટ્રાહેડ્રલ વોઇડ્સ (ચતુષ્ફલકીય છિદ્રો) રોકે છે. પરિણામી ઘન પદાર્થની પેકિંગ કાર્યક્ષમતા ($\%$ માં) કોની સૌથી નજીક છે?

એક ધાતુ $M$ હેક્સાગોનલ ક્લોઝ-પેક્ડ $(hcp)$ રચના બનાવે છે. તેના $0.02 \ mol$ માં કુલ ખાલી જગ્યાઓની (voids) સંખ્યા $......... \times 10^{21}$ છે (નજીકનો પૂર્ણાંક) (આપેલ છે $N_{A} = 6.02 \times 10^{23}$)

એક સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થ $X$,$Y$ અને $Z$ તત્વોનો બનેલો છે. $X$ ના પરમાણુઓ $FCC$ પેકિંગ બનાવે છે; $Y$ ના પરમાણુઓ અષ્ટફલકીય છિદ્રો રોકે છે જ્યારે $Z$ ના પરમાણુઓ ચતુષ્ફલકીય છિદ્રો રોકે છે. જો એક મુખ્ય વિકર્ણ (body diagonal) પરના પરમાણુઓ દૂર કરવામાં આવે,તો ઘનનું સૌથી સરળ સૂત્ર શું હશે?