એક કેપેસિટરને ચાર્જ કર્યા પછી બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો સાચું વિધાન પસંદ કરો.

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જ્યારે તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K = 5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિકથી અડધું ભરવામાં આવે છે,ત્યારે કેપેસિટન્સમાં થતો ટકાવારી વધારો......$\%$ હશે.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ $15 \text{ pF}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે છે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $3.5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. તો કેપેસીટન્સ $x/4 \text{ pF}$ થાય છે. $x$ નું મૂલ્ય શોધો.

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $95 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો $2 \ mm$ જાડાઈની ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \ mm$ જેટલું વધારવામાં આવે જેથી સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જળવાઈ રહે,તો પદાર્થ (સ્લેબ) નો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $80 \times 10^{-6} \ F$ છે જ્યારે પ્લેટો વચ્ચે હવા હોય. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને $K = 20$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને $30 \ V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને દૂર કરવામાં આવે છે જ્યારે કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલું રહે છે. વાયરમાંથી પસાર થતો વિદ્યુતભાર શોધો.

હવામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસિટરનો એક-ચતુર્થાંશ ભાગ ભરાય તે રીતે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતર જેટલી જાડાઈ ધરાવતી સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?