સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેપેસિટન્સ $3C$ હોય,તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

$C$ ફેરાડે કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટના emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડાયેલ રાખીને,$K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબના પરિમાણો એવા છે કે તે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરી દે છે. તો $:-$

એક કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જ્યારે તેમાં $4 \times 10^{-5} \ m$ જાડાઈની ડાઇઇલેક્ટ્રિક પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે વોલ્ટેજ સમાન રાખવા માટે બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times 10^{-5} \ m$ જેટલું વધારવું પડે છે. તો ડાઇઇલેક્ટ્રિકનો ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ કેટલો હશે?

જ્યારે કેપેસિટરમાં રહેલી હવાને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમ દ્વારા બદલવામાં આવે છે,ત્યારે તેની કેપેસીટન્સ

જો ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે (બેટરી દૂર કરવામાં આવે),તો કઈ રાશિ અચળ રહે છે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે. જ્યારે $t$ જાડાઈ અને $K$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે,ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ કેટલી થાય?