સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $12 \ \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું અને પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ અડધું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસીટન્સ ... $\mu F$ થશે.

જો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની દરેક પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર $Q$ હોય અને પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્રનું મૂલ્ય $E$ હોય,તો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની દરેક પ્લેટ પર લાગતું બળ કેટલું હશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર $Q$ છે. $t$ જેટલા અંતરે રહેલી તેની બે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા કેટલી હશે?

એક ચાર્જ થયેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અવાહક પ્લેટો (પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઓછું છે) સ્થિત-વિદ્યુત આકર્ષણને કારણે એકબીજાની નજીક આવી રહી છે. કોઈ અન્ય બળ કાર્યરત નથી અને કોઈ વિકિરણ થતું નથી તેમ ધારીને, નીચેનામાંથી કયો આલેખ પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ નો સમય $(t)$ સાથેનો ફેરફાર આશરે દર્શાવે છે?

$50\,\mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોને $100\;V$ ના પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે,તો આ પ્રક્રિયામાં કેટલું કાર્ય કરવું પડશે?

$3\,F$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ કેટલું હશે,જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $5\,mm$ હોય?