સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યામાં પ્લેટોને સમાંતર $K$ ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. જો પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો નવું (અંતિમ) કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

બે પ્લેટો વચ્ચે $0.4\ cm$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $2\ \mu F$ છે. જો તેમની વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તે જગ્યાને $2.8$ ડાઇલેક્ટ્રીક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્યથી ભરી દેવામાં આવે,તો કેપેસીટરનું અંતિમ કેપેસીટન્સ .....$\mu F$ થશે.

હવા ભરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $10 \, pF$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં મીણ ભરવામાં આવે છે,જેનાથી કેપેસિટન્સનું નવું મૂલ્ય $40 \times 10^{-12} \, F$ થાય છે. મીણનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ છે જે તેની પ્લેટોના $1/3$ ક્ષેત્રફળને આવરી લે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. કેપેસિટરનું કુલ કેપેસિટન્સ $C$ છે જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા ભાગનું કેપેસિટન્સ $C_1$ છે. જ્યારે કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક દ્વારા આવરી લેવાયેલ પ્લેટ વિસ્તાર પર $Q_1$ ચાર્જ અને બાકીના વિસ્તાર પર $Q_2$ ચાર્જ મળે છે. ધારની અસરોને અવગણીને,સાચો વિકલ્પ/વિકલ્પો પસંદ કરો.
$(A)$ $\frac{E_1}{E_2}=1$ $(B)$ $\frac{E_1}{E_2}=\frac{1}{K}$ $(C)$ $\frac{Q_1}{Q_2}=\frac{K}{2}$ $(D)$ $\frac{C}{C_1}=\frac{2+K}{K}$

એક કેપેસિટરને બેટરી વડે સંપૂર્ણ ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી તેને ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિકની સપાટી પરના અને કેપેસિટરની પ્લેટોની બહારની સપાટી પરના વિદ્યુતભારોમાં અનુક્રમે શું ફેરફાર થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. એક બેટરી પ્લેટોને $V_0$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરે છે. ત્યારબાદ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $d$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?