એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. એક બેટરી પ્લેટોને $V_0$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરે છે. ત્યારબાદ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $d$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યામાં $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ પ્લેટોને સમાંતર ભરવામાં આવે છે. જો શરૂઆતનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

હવામાં એક ગોળાકાર કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $50 \,\mu F$ છે. જ્યારે તેને તેલમાં ડૂબાડવામાં આવે છે,ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ $110 \,\mu F$ થાય છે. તો તેલનો ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી વડે ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને બેટરી જોડાયેલી રહે છે. $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે અને પછી બહાર કાઢવામાં આવે છે. તો પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્રમાં શું ફેરફાર થશે?

હવાવાળા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. જો બે પ્લેટ વચ્ચે $d/3$ જાડાઈ અને $K_1 = 3$ ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું અને $2d/3$ જાડાઈ તથા $K_2 = 6$ ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ ...... $pF$ થશે.

$A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે ધાતુની પ્લેટો વચ્ચે હવા રાખીને એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,$C_1$ અને $C_2$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે કેપેસિટર બનાવવા માટે પ્લેટોની વચ્ચે $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. જો બે કેપેસિટરનું અસરકારક કેપેસિટન્સ $C^{\prime}$ હોય અને શરૂઆતનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો $\frac{C^{\prime}}{C}$ ની કિંમત શોધો.